碳化硅是不是有机物

碳化硅虽然具有碳元素，但是它呈现出来的性质是无机物的性质，所以也把它归为无机物，这和二氧化碳也不归为有机物是一个道理。

有机化合物

狭义上的有机化合物主要是指由碳元素、氢元素组成，一定是含碳的化合物，但是不包括碳的氧化物和硫化物、碳酸、碳酸盐、氰化物、硫氰化物、氰酸盐、碳化物、碳硼烷、羰基金属、不含M-C键的金属有机配体配合物，部分金属有机化合物（含M-C键的物质）等主要在无机化学中研究的含碳物质。

与无机物相比较，有机物的主要特点是：①大多为共价型化合物，固态是分子晶体，有较低的熔点（一般在300℃以下）、沸点，极性较小，属于非电解质。②大多易燃，受热易分解。③多数难溶于水，易溶于乙醇、乙醚、丙酮、苯、汽油等有机溶剂。④有机物的反应多为分子反应，反应速度较慢，常需要加热、光照或催化剂。⑤有机反应的副反应多，产率较低，产物往往是混合物。⑥普遍存在同分异构现象。

碳化硅

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

SiC和Si性能大比拼

SIC优势主要有以下三点：（1）更低的阻抗，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；（2）更高频率的运行，能让被动元器件做得更小；（3）能在更高温度下运行，意味着冷却系统可以更简单。

另外，SiC-SBD（肖特基二极管）与Si-FRD的恢复特性对比，SiC-SBD的恢复过程几乎不受电流、温度影响；SiC-MOS与Si-IGBT/Si-MOS的开关特性比较时，开关off时的损耗大幅减少，体二极管的恢复特性尤其好。